DRAM 42nm Berbasis Tembaga Dikembangkan

VIVAnews - Micron Technology, Inc. dan Nanya Technology Corporation mengumumkan bahwa mereka mengembangkan perangkat memori DDR3 2 gigabit. Yang menarik, memori menggunakan teknologi proses DRAM 42-nanometer berbasis tembaga.

DDR3 adalah teknologi memori yang kini umum digunakan dalam aplikasi-aplikasi komputasi berkinerja tinggi, termasuk komputer server, notebook, dan desktop.

Sebagai informasi, peralihan menuju geometri proses yang lebih kecil sangat penting untuk mempertahankan efisiensi. Proses 42nm yang baru itu membuat daya 1,35-volt menjadi daya standar yang digunakan luas dibandingkan dengan 1,5-volt pada memori generasi sebelumnya.

“Dengan pergerakan menuju 42nm dan keahlian Micron dalam metalisasi tembaga dan teknologi kapasitor sel khusus membuat kami tetap menjadi yang terdepan dalam desain dan inovasi proses DRAM,” klaim Robert Feurle, Vice President DRAM Marketing Nanya, pada keterangannya, 1 Maret 2010.

Seperti diketahui, mengurangi konsumsi daya sangatlah penting untuk lingkungan server, karena biaya daya dan infrastruktur pendingin sebanding dengan biaya peralatan server sendiri.

Dengan meningkatnya kebutuhan memori pada server, diperkirakan konsumsi daya memori dapat mencapai hingga 21-watt per modul. Daya 1,35 volt dapat memberikan penghematan hingga 30% dalam aplikasi-aplikasi tersebut, sehingga mengurangi baik kebutuhan daya dan pendinginan.   

Dengan menyusutkan teknologi proses, perangkat DDR3 2Gb 42nm yang baru memberikan kinerja memori yang lebih baik hingga mampu mencapai 1866 megabit per detik. Selain itu, cetakan memori yang kecil dengan kepadatan 2Gb dari perangkat DDR3 42nm dapat menghasilkan modul hingga kapasitas 16GB.

Prototipe memori berteknologi tembaga 42 nanometer ini sendiri dijadwalkan akan rampung pada kuartal kedua 2010. Adapun produksi akan dimulai pada semester kedua tahun ini.