- TachyonIQ
VIVA Tekno – Samsung telah memulai pembuatan chipset menggunakan proses 3nm Gate-All-Around (GAA) sejak bulan lalu dan pada mereka mengadakan upacara untuk merayakan pengiriman pertama chipset fabrikasi 3nm tersebut pada Senin kemarin.
Dikabarkan, upacara seremonial tersebut dihadiri oleh sekitar 100 orang, termasuk eksekutif dan karyawan perusahaan, CEO perusahaan yang ingin menggunakan teknologi baru serta Menteri Perdagangan, Industri, dan Energi Korea Selatan, Lee Chang-yang yang menjanjikan akan memberikan dukungan terhadap ekosistem semikonduktor negara tersebut, mengutip dari situs GSM Arena, Selasa, 26 Juli 2022.
Samsung Electronics mulai meneliti transistor GAA pada awal 2000-an dan bereksperimen dengan desain pada 2017, dan saat ini raksasa teknologi Korea Selatan itu siap untuk memproduksi chip tersebut secara massal menggunakan proses baru.
Dibandingkan dengan desain FinFET, yang telah menjadi standar selama beberapa tahun terakhir, desain Gate-All-Around diklaim akan memungkinkan transistor untuk membawa lebih banyak arus sementara, tetap relatif kecil.
Samsung mengklaim, chipset GAA fabrikasi 3nm ini akan menggunakan daya 45 persen lebih sedikit, 23 persen lebih cepat, dan 16 persen lebih kecil dibandingkan chipset FinFET 5nm. Ini untuk generasi pertama dari proses GAA.
Samsung tidak mengatakan jenis chipset apa yang akan digunakan untuk pengiriman pertamanya, tetapi mereka berencana untuk mengembangkan chipset smartphone menggunakan desain 3nm GAA.
Selain itu, dikabarkan juga TSMC akan memulai pembuatan massal chipset 3nm pada akhir tahun ini, meskipun hingga saat ini mereka masih akan menggunakan desain FinFET. Tetapi, secara perlahan mereka akan beralih ke GAAFET dengan transisi ke mode 2nm.
